1、低頻噪聲

　　低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導(dǎo)電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導(dǎo)電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。

　　2、半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲

　　由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動，相當(dāng)于對電容充電。

　　當(dāng)正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū)，相當(dāng)于電容放電。當(dāng)外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。

　　3、高頻熱噪聲

　　高頻熱噪聲是由于導(dǎo)電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運(yùn)動產(chǎn)生的。溫度越高，電子運(yùn)動就越激烈。導(dǎo)體內(nèi)部電子的無規(guī)則運(yùn)動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運(yùn)動，故它的平均總電流為零，但當(dāng)它作為一個元件(或作為電路的一部分)被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。

　　4、通常在工頻內(nèi)，電路的熱噪聲與通頻帶成正比，通頻帶越寬，電路熱噪聲的影響就越大。以一個1kΩ的電阻為例，如果電路的通頻帶為1MHz，則呈現(xiàn)在電阻兩端的開路電壓噪聲有效值為4μV(設(shè)溫度為室溫T=290K)�？雌饋碓肼暤碾妱觿莶⒉淮�，但假設(shè)將其接入一個增益為106倍的放大電路時，其輸出噪聲可達(dá)4V，這時對電路的干擾就很大了。

　　許多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件，在電流通過時其線圈的電感和外殼的分布電容向周圍輻射能量，其能量會對周圍的電路產(chǎn)生干擾。像繼電器等元件其反復(fù)工作，通斷電時會產(chǎn)生瞬間的反向高壓，形成瞬時浪涌電流，這種瞬間的高壓對電路將產(chǎn)生極大的沖擊，從而嚴(yán)重干擾電路的正常工作。

　　5、晶體管的噪聲

　　晶體管的噪聲主要有熱噪聲、散粒噪聲、閃爍噪聲。

　　熱噪聲是由于載流子不規(guī)則的熱運(yùn)動通過BJT內(nèi)3個區(qū)的體電阻及相應(yīng)的引線電阻時而產(chǎn)生。其中rbb所產(chǎn)生的噪聲是主要的。

　　通常所說的BJT中的電流，只是一個平均值。實際上通過發(fā)射結(jié)注入到基區(qū)的載流子數(shù)目，在各個瞬時都不相同，因而發(fā)射極電流或集電極電流都有無規(guī)則的波動，會產(chǎn)生散粒噪聲。

　　由于半導(dǎo)體材料及制造工藝水平使得晶體管表面清潔處理不好而引起的噪聲稱為閃爍噪聲。它與半導(dǎo)體表面少數(shù)載流子的復(fù)合有關(guān)，表現(xiàn)為發(fā)射極電流的起伏，其電流噪聲譜密度與頻率近似成反比，又稱1/f噪聲。它主要在低頻(kHz以下)范圍起主要作用。

　　6、電阻器的噪聲

　　電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應(yīng)和電阻本身的熱噪聲。例如一個阻值為R的實芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。一般來說，寄生電容為0.1～0.5pF，寄生電感為5～8nH。在頻率高于1MHz時，這些寄生電感電容就不可忽視了。

　　7、集成電路的噪聲

　　集成電路的噪聲干擾一般有兩種：一種是輻射式，一種是傳導(dǎo)式。這些噪聲尖刺對于接在同一交流電網(wǎng)上的其他電子設(shè)備會產(chǎn)生較大影響。噪聲頻譜擴(kuò)展至100MHz以上。

　　在實驗室中，可以用高頻示波器(100MHz以上)觀察一般單片機(jī)系統(tǒng)板上某個集成電路電源與地引腳之間的波形，會看到噪聲尖刺峰-峰值可達(dá)數(shù)百毫伏甚至伏級。

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